VisIC Technologies Ltd公司，汽车高压应用氮化镓（GaN）器件的全球领导者，自豪地宣布其新的低导通电阻产品发布。针对电动汽车逆变器应用，此款产品将有助于提高电机控制器效率，降低整机制造成本。新的8毫欧姆产品是支持客户和改进电源转换系统的持续努力中的又一步骤。

8毫欧姆 D3GaN 功率开关管

“与VisIC上一代产品相比，V8 产品将当前功率提高了一倍，电阻降低了 2.5 倍。这将使我们的电动汽车应用客户改进其逆变器系统，在尺寸、功率和成本方面更高效地实现设计目标。V8 产品是我们长期努力提供基于 D3GaN 技术更好解决方案的又一进步。新产品的改进工作是和我们领先的客户密切合作完成的，为电动汽车的核心电气驱动系统带来有意义的改进，高功率牵引逆变器应用也可以此实现更高的功率密度。”VisIC市场营销高级副总裁兰·索弗先生补充说。

新产品的额定参数为 8毫欧姆、650伏特、200安培，与同类 IGBT 或 SiC 器件相比，在相同电流范围内可实现显著降低的开关损耗。客户可以将该新产品集成到分立封装和功率模块设计中。这项新技术可节省功率损耗，特别是在大电流电动汽车逆变器系统的功率循环测试中。

与现有的硅晶圆技术相比较，对于宽禁带器件SiC和GaN来说，制造更大电流的裸芯片非常有挑战。由于D3 GaN平台的精心设计，以及VisIC公司制造合作伙伴台积电的卓越制造，使得200安培 GaN功率晶体管的突破成为可能。这一突破将使电动汽车受益于GaN的高效技术，实现更具成本效益的电动汽车设计，助力于更绿色和清洁的地球。